III Всероссийская конференция
по полупроводниковым нитридам
Первое рабочее совещание "Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы" было организовано в июне 1997 г. по инициативе физического факультета МГУ и ФТИ им. А.Ф.Иоффе. Это совещание было продиктовано осознанной необходимостью развития исследований, разработок и промышленного освоения структур и приборов на основе нитрида галлия и его твердых растворов в России. За прошедшие 7 лет эту необходимость осознали многие коллеги в академических, университетских и промышленных организациях. В Таблице представлена статистика, характеризующая Совещания и Конференций с тем же названием. Статистика в Таблице показывает важную организующую роль наших собраний. На 3-й Всероссийской Конференции, которая проходила на физическом факультете МГУ 7-9 июня 2004 г., было представлено более 95 докладов, в ней участвовало более 130 представителей от более 70 организаций.
| Статус, Поддержка |
Год, место |
Число докл. |
Число участн. |
Число организ. |
| Рабочее Совещание |
Июнь 1997, МГУ |
18 |
30 |
7 |
| 2-е Всероссийское, РФФИ |
Июнь 1998, СПбГТУ |
36 |
50 |
14 |
| 3-е Всер., РФФИ, Минпромнауки |
Июнь 1999, МГУ |
53 |
75 |
20 |
| 4-е Всер, РФФИ, Минпромнауки |
Сент. 2000, ФТИ |
45 |
80 |
25 |
| 1-я Всер. Конф. Минпромнауки Спонсоры |
Нояб. 2001, МГУ |
65 |
90 |
50 |
| 2-я Всер. Конфер.РФФИ, спонсоры |
Фев.2003, ФТИ |
69 |
150 |
68 |
| 3-я Всеросс. Конференция, Спонсоры. |
Июнь 2004, МГУ |
95 |
>130 |
>70 |
Практически все научно-технические проблемы, связанные с исследованиями и разработками
структур и приборов нитридов III группы, были представлены на Конференции. Технология
выращивания объемных кристаллов и создания подложек для эпитаксиального роста
тонких слоев была представлена несколькими группами. Технология, физические
и химические проблемы металло- органической и молекулярно- лучевой эпитаксии
- рядом академических и промышленных организаций. Исследования оптических, электрических
и структурных свойств нитридов были рассмотрены многими академическими, университетскими
и промышленными лабораториями.
Разработка установок для выращивания нитридных структур эпитаксиальными методами, приборов для контроля этих методов была представлена двумя американскими фирмами, которые стали спонсорами Конференции. Они выставили на стендах описания своих установок.
Свойства квантово- размерных структур и вопросы технологии изготовления приборов (планарная обработка пластин, контакты, свойства поверхности) были рассмотрены как академическими, так и промышленными группами. Разработки высокочастотных транзисторов и исследования фотоэлектрических свойств структур были представлены на выездном заседании во вновь организованном Институте СВЧ полупроводниковой электроники РАН. Наиболее перспективное направление - исследования и разработки светодиодов были представлены многими организациями. Проблемы практического применения светодиодов, прежде всего для энергосберегающего освещения, были представлены на специальной, заключительной секции. Впечатляющими были стенды Московских фирм "Корвет - Лайтс" и "Оптэл", на которых сияли светодиодные устройства для освещения.
На конференции были представлены 11 академических институтов и организаций, 10 университетов, 8 федеральных государственных научно-промышленных центров, 16 промышленных предприятий. Участники приехали из Москвы, С.-Петербурга, Новосибирска, Томска, Уфы, Ижевска, Махачкалы, Челябинска, Новгорода, Казани, Орла. На Всероссийскую Конференцию представили доклады сотрудники 6 институтов Украины, Беларуси и Молдовы, 14 институтов и фирм из США, Германии, Англии, Японии и Кореи.
Часть докладов находилась на мировом уровне, часть - успешно повторяла недавние работы зарубежных лабораторий, часть - осваивает трудные технологические направления, созданные за последнее десятилетие. Научные исследования, технические разработки и промышленно-экономические проблемы рассматривались на Конференции в общей связи.
Важно, что часть докладов на Конференции представляли молодые люди. Проблемы Конференции требуют подготовки новых, молодых кадров в России.
Результаты Конференции показали, что всего сделанного недостаточно для развития перспективных научных исследований, для создания конкурентно способного отечественного производства структур и приборов на основе GaN. Технологические исследования и разработки в целом отстают от мирового уровня. В России отсутствует сквозная цепь производителей комплектующих и материалов: от эпитаксиальных структур и светодиодов до конечного продукта - световых приборов, компакт-дисков с использованием нитридных лазеров, СВЧ устройств с использованием нитридных транзисторов.
Для решения проблемы необходимо разрабатывать государственные, региональные и целевые программы, которые получили бы поддержку как из бюджетных источников, так и от частного капитала. Решения предыдущих Совещаний и Конференций направлялись в Министерство Промышленности, Науки и Технологий РФ. И на 3-й Конференции было принято Решение с обращением в новое Правительство РФ о необходимости создания таких Программ и поддержки проектов по этой тематике.
А.Э.Юнович
|
Виртуальный тур и фильмы о факультете
Вестник МГУ. Серия 3.
связаться с нами